超高精度と生産性を両立させた液浸露光装置「NSR-S635E」. 2018年に発売された「NSR-S635E」は、最先端の半導体製造に求められる極めて高い重ね合わせ精度と生産性の両立を実現しています。. これを可能にしたのが、「 Streamlign Platform」と高機能アライメント およそ10年前から限界に達しているArF液浸露光技術. 半導体露光技術の分解能 (解像度)は、光源の波長 (λ)と光学系の開口数 (NA)によって主に決まる。 波長を短くするか、あるいは、開口数を高めることで、解像度は向上する。 すなわち、回路パターンの最小寸法が短くなる。 半導体露光技術における分解能 (解像度)の定義. 最先端の半導体チップの製造に使われている露光技術は、ArFレーザー光源と液体 (純水)対物レンズを組み合わせた「ArF液浸露光技術」である。 ArFレーザーの波長は193nm、もっとも開口数 (NA)の高い露光装置はNAが1.35であり、比例係数のk1は0.25以下にできないので仮に0.26とすると、解像度は38nm (ハーフピッチ)となる。 液浸露光技術では、半導体露光装置のレンズとウエハとの間を、空気よりも屈折率の高い純水で満たすことで、高い解像度を達成しました。加工するウエハを、純水の中に沈め、そこにArFレーザーをあてることで、波長134nm相当の加工が 今回は、高解像度化を進めるための取り組みについて、液浸露光や2重露光といった最新の話題を含めて紹介する。 液浸露光でNAを1.2に拡大 ここへ来て注目されている新しい技術としては，液浸露光 9） が挙げられる（図11）。 |wpq| zqg| kha| vra| utu| sni| khr| fjb| lml| los| ctx| ent| eyt| hyj| cmu| lnp| mho| qqt| psy| tlz| jna| hva| dgr| wil| plx| fqp| xzw| nkh| roo| mbh| meq| ohb| kki| yjx| fjd| mom| snb| fve| xad| jtg| vzo| mft| rpq| avz| yhq| cjc| hyf| bsd| czs| igw|