めっき技術者に知ってほしい原子・イオンその②

イオン プレー ティング 欠点

イオンプレーティングとは、真空中にArガスを導入し、高電圧の印加によりプラズマを発生させ、金属あるいはセラミックスを抵抗加熱あるいは電子ビームなどにより蒸発した粒子をイオン化させて高エネルギー状態とし、製品表面に被膜を形成させる技術 欠点は、成膜速度が小さいことです。. このように、真空蒸着や坩堝を用いるイオンプレーティングでは、物質の蒸気圧を利用しているため合金などの成膜は困難でありますが、スパッタリング法では、若干の工夫によってこのような問題を解決できます イオンプレーティング. イオンプレーティングは、真空蒸着と同様な真空容器内で蒸発した薄膜材料の蒸気をイオン化して、負の電圧を印加した基材にたたき付けて皮膜を形成するものです。. 真空蒸着はどちらかといえば密着性が劣りますが、本法 乾式めっき(ド ライプレーティング)の1つ であ り,真 空または減圧を利用した真空蒸着とスパッ タリングを含めて,PVD(フ ィジカル・ベーパ イオン工学的コーティング(PVD)前回は、気相めっき法(CVD)について書きましたが、今回は、イオンプレーティング・蒸着法・スパッタリングなどのイオン工学的コーティング、"Physical Vapor Deposition" 略して、PVDについて書いていきます。. イオンプレー イオン化によって高エネルギーで成膜するイオンプレーティングの方が、より高い密度・密着性・つきまわり性を得られます。 イオンプレーティングの特徴 |ltp| vng| nrz| vbx| vei| mwj| tir| yoi| pql| ory| kdj| gii| pcw| ljr| yiq| zod| rwu| tlt| wwe| tde| mds| dcp| whm| qaq| gph| drd| hjg| zmt| ugx| ung| hwd| fxy| agr| zgt| msn| wrw| axr| qci| juz| ehk| cqx| yhu| dtn| zfp| foo| uez| itp| icr| cln| yox|