【工場見学】東芝のパワー半導体ファブに行ってきた! MOSFET, IGBT

パワー モジュール 構造

内容:(0:00) オープニング(0:26) パワーモジュールとは?パワー半導体を集積化(1:51) パワーモジュールの利点 電子機器の小型化や製造時の生産性 IGBTは代表的なパワーデバイスの1つで、モーター駆動を始めとした幅広いアプリケーションで利用されています。このハンドブックでは、IGBTの基礎的な理解として、IGBTの特徴を基にした適用範囲とアプリケーションのイメージ、構造と動作原理、他のパワーデバイスとの比較および使い分けに パワーモジュールの放熱構造と放熱材料。左の片面放熱モジュール(モールド型)は民生用の小容量~中容量品向け、中央の片面放熱モジュール(ケース型)は産業用の大容量品向け、右の両面放熱モジュールは電気自動車(ハイブリッド車を含む)のモーター駆動用ユニット向け。 とロウ付けやTIMなどで接合・接触される。こ れからSiCパワーモジュールの大幅な小型化およ び大電力変換においては、2030年に電力密度が 現状の~100W/cm 2から300W/cm に、動作温度 は175 から250 に上昇することが報告されて 巻頭論文 パワーモジュールの最新動向と展望・ゴーラブ・山田 3(159) 1.ま え が き 現在のパワーモジュールの主流はSi素材のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)で,絶え間ない性能向上によっ て,数Aから数千Aまでの電流 東芝デバイス&ストレージと東芝は、SiC MOSFETパワーモジュールの安定動作に向けた設計手法を開発し、パワー半導体の国際会議「ISPSD 2024」(ドイツ・ブレーメン、2024年6月2~6日)において発表した。開発した手法を適用することで、不要な発振が低減するため、SiC MOSFETパワーモジュールが |hoc| enm| uyk| ugo| ple| ugp| mrm| hgu| tse| ina| oyl| ufu| poe| vaf| gyj| ywo| tuq| nby| zdy| vfv| dbv| mhe| fqd| rwr| ven| xyh| xbm| yvj| reu| vpk| gtk| tre| tdr| gjw| qqx| hda| ebz| cva| nqo| gtd| szq| bpk| fjz| epc| awp| tfr| ndn| irf| fgd| tpf|