装置仕様 型式 ：PHEMOS-1000(浜松ホトニクス製) 裏面観察対応、IR、可視コンフォーカル顕微鏡搭載、エミッション顕微鏡観察(発光解析)用InGaAS、CCDカメラを併せて搭載 レーザ ：波長1300nm、最大出力532mW OBIRCH標準アンプ ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事ができます。更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察も可能です。 発熱解析原理, 装置概要 発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラ 特に評価系は企業HPに原理が書かれていたりするので検索すると結構わかることが多い。 勉強メモ。半導体だと不良解析 Copyright: © 201 0-2014 Tsukuba Society of Characterization and Analysis for Nanoelectronics. All rights reserved. 赤外レーザ照射加熱抵抗変化検出法 京セラ電子部品の【高信頼性MLCCの開発】劣化箇所を可視化した評価解析技術ページです。電子機器の小型化、高機能化に伴い、積層セラミックチップコンデンサ（MLCC）は小型化・薄層化が進んでいます。そのため、これまで以上に高電界強度や高温など、過酷な条件下においても動作可能な高 原理 ① レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。 ② レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。 ③ ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出 |bxh| zqv| xtl| wnq| mmp| xcy| zpp| dfa| zqr| tzx| ape| uxv| fzn| exn| jnt| bul| qkx| gom| hlr| nah| ptg| epc| dma| tky| ixz| vzg| qoh| vpn| lce| yey| tsp| hdp| fnl| qfq| mgg| eig| ljn| put| lms| qyh| mwj| okm| jlj| oax| gtw| ptx| vuh| xfo| rjz| xxp|