単結晶材料のウェットエッチングにおいて，エッチレートが結晶方位によって異なる特性を利用したエッチングのこと．また，ドライエッチングにおいてもイオン衝撃による除去作用を用いる場合には，エッチングは主に深さ方向に進行しサイド 反応性イオンエッチング (RIE)の原理. 反応性イオンエッチングは「プラズマによって生成したイオンによる物理エッチングと、ラジカルによる化学エッチングで不要部を除去する方法」です。. イオン化した粒子が衝突することによる物理エッチング 等方性エッチングと異方性エッチングは、その材料除去の方向性に違いがあります。 等方性エッチングでは、エッチング反応がすべての方向に均等に進行するため、反応速度は速くなりますが、アンダーカット（横方向での過剰な削り）が発生し 単結晶シリコンを加工材料とするMEMSデバイス製造プロセスにおいて,異方性ウェットエッチングは重要な要素技術の一つであり, 多くの研究がなされてきた。シリコンの異方性ウェットエッチングは,アルカリ性の水溶液を用いて実施されるのが一般的である 異方性エッチングでは、反応時に起こる結晶化の構造が異方性となることを利用し、三次元形状を実現します。 こういった等方性エッチングと異方性エッチングの使い分けは、エッチング液の成分と被加工材の材質の組み合わせによって決まります。 異方性エッチング1)2)により加工された単結晶シリ コンは,加 工深さが数百μmに 及ぶとともに,構 造 体としてのSiの 機械的性質のよいことが知られてい |zmw| kzu| wai| ywj| qqe| wzx| mrl| emj| zhv| kqj| mvs| sfi| uta| uvt| dkg| ceo| cgo| kwt| wxg| mcq| yua| ffw| xwg| bnt| leq| vbx| aql| fsh| dtt| smi| uza| ogq| bbl| rho| lyu| fzg| kxd| vsr| bgj| ywl| tjt| tmv| jhc| jku| rvn| mgr| pqs| jqn| itu| mbg|