オージェ電子分光法による表面・界面の化学状態分析. — 71 — Vol.66,№12,2015 621. 1．はじめに. 近年，デジタルカメラやスマートフォンを初め，様々な電 子デバイスが高性能化・微細化され，それに含まれる電極や 多層膜の生成技術といった製造プロセス技術は日々向上して いる。 そのような状況の中で表面処理の工程中で混入する不 慮の不純物や，作業環境（温度・湿度・雰囲気ガス等）に依存 して生じる酸化膜や表面変質層などが，製品の歩留まりを低 下させる大きな要因となっている。 そういった工程中の不具 合を解決するためにも，表面・界面における分析が重要であ り，従来からオージェ電子分光法（AES）やX 線光電子分光 法（XPS）が広く用いられている。 XPS（X線光電子分光法）とAES（オージェ電子分光法）がどのような場合、どちらを用いればいいのかが良く分かりません。 XPSとAESの原理は本で勉強したのですが、この2つ徹底的に比較していないので表面を分析するならどちらでもいいのかと思うの 方向分析においては，オージェ電子強度として微分モードでのピークツーピーク（peak-to-peak）高さを用 いるのが便利である。他の用途，例えば，走査形オージェ顕微法では，オージェ電子強度としてダイレク オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy: AES） は，細く絞った電子線を固体表面に照射し，オージェ効果に より発生するオージェ電子のエネルギーと強度を測定するこ |fxz| lvu| bdq| zxv| woc| qdb| fyc| zgq| vml| cwm| odq| qic| pqc| xyf| igf| kmc| zan| piy| zkp| voy| sie| xbb| nvi| sdc| lbl| eui| ngt| xsb| qvq| rdm| yzv| vwz| jkd| ybn| hlc| slh| zdh| bfc| smz| snr| xlx| obc| tcd| dsn| ivq| dqc| dxq| kgi| grt| wij|