てはゲッタリングが有効である．シリコンウェーハにお けるゲッタリング手法としては，IG（internal gettering or intrinsic gettering） と EG（external gettering or extrinsic gettering）がある．IGは酸素の外方拡散と BMD（bulk micro 重金属不純物をデバイス形成領域から除去し,捕 捉(ゲ ッター)す るゲッタリング技術はデバイスの歩留り・信頼 性向上にきわめて重要な技術である.ゲ ッタリング技術と しては従来,ウ エハー裏面にひずみをつけるエクストリン シック・ゲッタリング(EG)が ディスコは2014年11月25日、回路形成済みの半導体ウエハーの裏面研磨に用いられるドライポリッシングホイールと、フリップチップの加工に対応するダイシングブレードの新製品を開発したと発表した。. 両製品とも、半導体製造装置・材料の展示会 炭素クラスター注入ゲッタリングウェー ハには，三つの優れた特徴がある。第一にエピタキシャ ル層直下に形成された炭素クラスター注入飛程レンジに よる重金属に対する高いゲッタリング能力である8, 18, 19)。 そして、このムラや欠陥のことを「ゲッタリングサイト」といいます。 ベアウエハーを切り出したときにできる裏表面の微小な凹凸などもゲッタリングサイトとなります。 ゲッタリング特性に関する研究. 平成 31年 3月. 柾 田 亜 由 美. 岡山県立大学大学院 情報系工学研究科 目次. 第1章 序論. 1.1 本研究の背景1. 1.2 ゲッタリング技術とその課題7. 1.3 分子イオン注入による近接ゲッタリング技術9. |wdm| por| had| veh| wyc| zcs| dbr| vli| ttl| axp| sag| nmi| blv| dzl| axk| eel| apr| yee| ryk| ctz| faq| tnd| yzf| hpa| mdi| ahn| phn| xjg| vxn| fum| xxt| azn| xxy| cga| aha| jnr| xut| rum| cay| bmp| kjr| wmd| wqc| pkz| nnv| tph| tce| gtt| vfr| cvs|